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星载半导体电子探测器关于辐射带电子探测的一些结果

程栋元 吴寄萍

程栋元, 吴寄萍. 星载半导体电子探测器关于辐射带电子探测的一些结果[J]. 空间科学学报, 1986, 6(2): 147-151. doi: 10.11728/cjss1986.02.147
引用本文: 程栋元, 吴寄萍. 星载半导体电子探测器关于辐射带电子探测的一些结果[J]. 空间科学学报, 1986, 6(2): 147-151. doi: 10.11728/cjss1986.02.147
Cheng Dong-yuan, Wu Ji-ping. Some Observation Results of the Radiation Belt Electrons from Satellite Borne Semiconductor Telescope[J]. Journal of Space Science, 1986, 6(2): 147-151. doi: 10.11728/cjss1986.02.147
Citation: Cheng Dong-yuan, Wu Ji-ping. Some Observation Results of the Radiation Belt Electrons from Satellite Borne Semiconductor Telescope[J]. Journal of Space Science, 1986, 6(2): 147-151. doi: 10.11728/cjss1986.02.147

星载半导体电子探测器关于辐射带电子探测的一些结果

doi: 10.11728/cjss1986.02.147

Some Observation Results of the Radiation Belt Electrons from Satellite Borne Semiconductor Telescope

  • 摘要: 本文给出了我国卫星上半导体电子探测器的一些探测结果。通过对数据的分析,得到了内辐射带中心区电子通量的典型值,大于0.5MeV和1.0MeV两个能档的全向通量分别为1.9×108和6.7×107ele./s·cm2.同时也给出了在典型轨道上电子通量随时间的变化剖面。此外,还得到了同步高度上述两个能档电子的全向通量分别为20.43×106和4.25×105ele./s·cm2.同时也给出了观测到的同步高度外辐射带电子的日变化。结果与国外观测资料基本相符。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1985-03-22
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  1986-04-24

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