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基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估

陈善强 师立勤

陈善强, 师立勤. 基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估[J]. 空间科学学报, 2011, 31(4): 498-502. doi: 10.11728/cjss2011.04.498
引用本文: 陈善强, 师立勤. 基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估[J]. 空间科学学报, 2011, 31(4): 498-502. doi: 10.11728/cjss2011.04.498
Chen Shanqiang, Shi Liqin. Assessing single-event-upsets in SRAM based on TCAD and Geant 4[J]. Chinese Journal of Space Science, 2011, 31(4): 498-502. doi: 10.11728/cjss2011.04.498
Citation: Chen Shanqiang, Shi Liqin. Assessing single-event-upsets in SRAM based on TCAD and Geant 4[J]. Chinese Journal of Space Science, 2011, 31(4): 498-502. doi: 10.11728/cjss2011.04.498

基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估

doi: 10.11728/cjss2011.04.498
详细信息
    通讯作者:

    陈善强

Assessing single-event-upsets in SRAM based on TCAD and Geant 4

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    Corresponding author: Chen Shanqiang
  • 摘要: 基于Geant4和TCAD (Technology-Computer Aided-Design)建立了一套评估静态存储器(SRAM)单粒子效应的方法. 该方法利用TCAD软件模拟半导体存储单元对粒子能量沉积的响应, 获得SRAM的重离子单粒子翻转截面, 并应用蒙特卡罗工具包Geant 4计算质子与硅材料的核反应以及次级粒子在灵敏体积内的能量沉积, 进而获得质子的单粒子翻转率. 利用该方法, 计算了TSMC 0.18 μm未加固SRAM的重离子和质子翻转率, 通过与同工艺SRAM的重离子实验结果进行比较, 初步验证了该方法的有效性. 该方法不依赖于地面模拟实验, 可以用来评估处于设计阶段的抗辐射加固器件.

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  2011-07-15

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